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  • 常温型铟镓砷探测器

    常温及TE制冷型近红外探测器，使用范围：0.8-2.6μm

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商品描述

常温及TE制冷型近红外探测器，使用范围：0.8-2.6μm

产品概述

常温型铟镓砷探测器（常温型InGaAs探测器）

●  DInGaAs1650型内装国产InGaAs元件
●  DInGaAs1700-R03M型内装进口InGaAs元件
●  DInGaAs2600-R03M型内装进口大面积InGaAs元件

                                                                光谱响应度曲线参考图

常温型铟镓砷探测器型号列表及主要技术指标：
  型号/参数DInGaAs1650DInGaAs1700-R03MDInGaAs2600-R03M
光敏面直径(mm)333
波长范围(nm)800-1700800-1700800-2600
峰值响应度(A/W, *小)0.850.91.1
暗电流(nA, *大)2001001mA
D*(典型值)-2.3×10124.1×1010
NEP(典型值)-1.2×10-136.5×10-12
阻抗(MΩ)11.5320Ω
电容(pF)15008009000
响应时间(ns)1601001μs
信号输出模式电流电流电流
输出信号极性正（P）正（P）正（P）


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